FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SOIC

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs