系列：AO

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.9A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V

功率-最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs