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AO4812 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.78W 类型:双N沟道
AO4812的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.2A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻22mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.78W

类型双N沟道

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AO4812VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.78W 类型:双N沟道1+:¥1.2253
10+:¥0.9054
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