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AO4806 /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
AO4806的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 9.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1810pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

其它名称:785-1056-2

供应商AO4806
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现代芯城(深圳)科技有限公司AO4806深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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AO4806的全球分销商及价格
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AO4806ALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥2.221+:¥2.8401
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AO4806Alpha & Omega Semiconductor Inc.3000+:¥2.22
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AO4806Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC$0.38808
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AO4806LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOICObsolete
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AO4806AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 9.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥2.76
10+:¥2.07
30+:¥1.95
100+:¥1.82
500+:¥1.76
1000+:¥1.73
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AO4806VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 7.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥1.3535
10+:¥1.0002
30+:¥0.9353
100+:¥0.8704
500+:¥0.8415
1000+:¥0.8273