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AO4800 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.78W 类型:双N沟道
AO4800的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.2A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻22mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.78W

类型双N沟道

供应商AO4800
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AO4800ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO110.31 Kbytes共4页AO4800A的PDF下载地址FDS9936A,AO8808A,AO4812,AO4902,NDS9936,CEM9936,AO8810,AO4904,NDS9945,CED3055L3
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AO4800的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
AO4800BALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.62
6000+:¥1.51
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30000+:¥1.34
75000+:¥1.31
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AO4800BLAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 8SOICObsolete
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AO4800LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 30V 6.9AObsolete
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AO4800AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道1+:¥1.302
10+:¥0.9927
30+:¥0.9359
100+:¥0.79119
500+:¥0.76842
1000+:¥0.75717
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AO4800VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.78W 类型:双N沟道1+:¥1.0845
10+:¥0.8146
30+:¥0.765
100+:¥0.7154
500+:¥0.6934
1000+:¥0.6825
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AO4800BAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥1.719
10+:¥1.3241
30+:¥1.2516
100+:¥1.1791
500+:¥1.1468
1000+:¥1.1309