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AO4800B /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
AO4800B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 15V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

其它名称:785-1053-2

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AO4800BALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.62
6000+:¥1.51
15000+:¥1.41
30000+:¥1.34
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6000+:¥1.51
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AO4800BLAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 8SOICObsolete
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AO4800BAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥1.719
10+:¥1.3241
30+:¥1.2516
100+:¥1.1791
500+:¥1.1468
1000+:¥1.1309