FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.1A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1250pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs