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2N7002KB /连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)250mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3.3Ω @ 200mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型N沟道

供应商2N7002KB
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2N7002KBVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道10+:¥0.21633
100+:¥0.159852
300+:¥0.149479
1000+:¥0.139105
5000+:¥0.134495
10000+:¥0.132217