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2N7002E,215 /NXP Semiconductors/分立半导体产品
2N7002E,215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):385mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.69nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V

功率 - 最大值:830mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)

其它名称:2N7002E T/R2N7002E T/R-ND2N7002E,215-ND568-4858-2934056996215

供应商2N7002E,215
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2N7002E,215MOSFET N-CH 60V 385MA TO236ABNXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO209.20 Kbytes共13页2N7002E,215的PDF下载地址
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2N7002E,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET1+:¥2.05
10+:¥1.8399
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Digi-Key 得捷电子
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