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2N7002H-7 /MOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
2N7002H-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:210 mA

Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:5 V

Qg-栅极电荷:352 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:510 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:2N7002H

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:4.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.4 ns

典型接通延迟时间:3.7 ns

单位重量:8 mg

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2N7002H-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 170MA SOT23$0.27000
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2N7002H-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA1:¥1.5368
10:¥1.4351
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
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2N7002H-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道10+:¥0.245064
100+:¥0.183442
300+:¥0.172123
1000+:¥0.160805
5000+:¥0.155774
10000+:¥0.153289