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2N7002G-AE2-R /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 300m,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道

2N7002G-AE2-R的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）300mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻7.5Ω @ 300m,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）200mW

类型N沟道

2N7002G-AE2-R

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	2N7002G-AE2-R	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市宸远科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价
集好芯城	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市百域芯科技有限公司	2N7002G-AE2-R	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	2N7002G-AE2-R	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	2N7002G-AE2-R	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳德泰威尔科技有限公司	2N7002G-AE2-R	上步工业区405栋308	15766460736 15766460736	小林	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312	朱先生	询价
上海山峻电子有限公司	2N7002G-AE2-R	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	2N7002G-AE2-R	深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A131	13510157626 13510157626	柯小姐	询价

2N7002G-AE2-R及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
2N7002G-AE2-R	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTC[Unisonic Technologies]	304.24 Kbytes	共6页	无
2N7002G-AE2-R	0.3 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	UTC[Unisonic Technologies]	291.33 Kbytes	共6页	无
2N7002G-AE2-R	0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTC[Unisonic Technologies]	286.68 Kbytes	共6页	无
2N7002G-AE2-R	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	AMS[Advanced Monolithic Systems Ltd]	576.54 Kbytes	共6页	无

2N7002G-AE2-R的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	2N7002G-AE2-R	UTC(友顺)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 300m,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道	20+:￥0.149402 200+:￥0.111917 600+:￥0.105032 2000+:￥0.098147

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