封装/外壳SOT-23-3

封装/外壳Reel

下降时间1.2 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散300 mW

典型关闭延迟时间4.8 ns

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压60 V

闸/源击穿电压± 20 V

漏极连续电流0.26 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）2500 m0hms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）260mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.81nC @ 5V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）26.7pF @ 25V

功率耗散（最大值）300mW（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.5 欧姆 @ 240mA，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs