FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.6nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）20pF @ 25V

功率耗散（最大值）500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装PG-SOT23-3

封装/外壳PG-SOT23-3

通道类型N

最大连续漏极电流300 mA

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值4 0hms

最大栅阈值电压2.5V

最小栅阈值电压1.5V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型SOT-23

引脚数目3

晶体管配置单

通道模式增强

类别小信号

最大功率耗散500 mW

最低工作温度-55 °C

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

长度2.9mm

高度1mm

系列OptiMOS

宽度1.3mm

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs0.4 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds13 pF @ 25 V

典型关断延迟时间5.5 ns

典型接通延迟时间3 ns

尺寸2.9 x 1.3 x 1mm

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs