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2N7002HG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
2N7002HG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3Ω @ 50mA,5V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW

类型N沟道

供应商2N7002HG
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2N7002HG连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道银河微电子银河微电子的LOGO570.49 Kbytes共6页2N7002HG的PDF下载地址
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2N7002HG银河微电子连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道20+:¥0.0845
200+:¥0.065