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2N7002ET /ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002ET, 260 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
2N7002ET的规格信息
2N7002ET的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流260 mA

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值2.5 0hms

最大栅阈值电压2.5V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型SOT-23

安装类型表面贴装

引脚数目3

晶体管配置

通道模式增强

类别小信号

最大功率耗散300 mW

最低工作温度-55 °C

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

长度2.9mm

高度0.94mm

宽度1.3mm

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs0.81 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds26.7 pF@ 25 V

典型关断延迟时间4.8 ns

典型接通延迟时间1.7 ns

尺寸2.9 x 1.3 x 0.94mm

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商2N7002ET
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2N7002ET7G表面贴装型 N 通道 60 V 260mA(Ta) 300mW(Tj) SOT-23-3(TO-236)onsemionsemi的LOGO222.57 Kbytes共8页2N7002ET7G的PDF下载地址
2N7002ET的全球分销商及价格
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Am2
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Arrow(艾睿)
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Avnet Express
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Chip1Stop
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
2N7002ET1GON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3$0.22000
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
2N7002ET3GON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
2N7002ET3GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
2N7002ET7GON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3$0.22000
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Element_sh
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element14 Asia-Pacific
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Icgoo
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
2N7002ET3GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品价格未公开
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Newark element14
2N7002ET1GON Semiconductor*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** N CHANNEL MOSFET, 60V, 310mA SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:310mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.86ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V ;RoHS Compliant: Yes250 : $0.045
500 : $0.043
1,000 : $0.032
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Rochester
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Rochester Electronics
2N7002ET1GON SemiconductorN/A500 : $0.03
1,000 : $0.03
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RS Components
2N7002ET1GON SemiconductorMOSFET N-Channel 60V 0.26A SOT23价格未公开
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RS_hk(欧时香港)
2N7002ET1GON SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms3000+:¥0.17
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Verical
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R$0.0375
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
2N7002ETAnBon(台湾安邦)MOS(场效应管)20+:¥0.146478
200+:¥0.110493
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立创商城
2N7002ET1GON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):260mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 240mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道20+:¥0.164188
200+:¥0.125941
600+:¥0.118916
2000+:¥0.111891
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立创商城
2N7002ET7GON(安森美)预售新品1+:¥0.353196
200+:¥0.136683
500+:¥0.131879
1000+:¥0.129506