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2N7002DWH6327 / MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
2N7002DWH6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:300 mA, 300 mA

Vds-漏源极击穿电压:60 V, 60 V

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms, 3 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Qg-栅极电荷:400 pC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SOT363

封装:Reel

商标:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Dual

下降时间:3.1 ns

正向跨导 - 最小值:11 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:3.3 ns

系列:2N7002

技术:-

典型关闭延迟时间:5.5 ns

典型接通延迟时间:3 ns

零件号别名:2N7002DWH6327XT 2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596

供应商2N7002DWH6327
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363$0.41000
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10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
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Rochester Electronics
2N7002DWH6327Infineon Technologies AGREF: SP000917596500 : $0.04
1,000 : $0.04
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Wuhan P&S
2N7002DWH6327Infineon Technologies AG60V,0.3A,dual N-channel power MOSFET1 : $0.09
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2N7002DWH6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:双N沟道5+:¥0.508165
50+:¥0.382483
150+:¥0.359399
500+:¥0.319498
2500+:¥0.309751
5000+:¥0.304936
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立创商城
2N7002DWH6327XTSA1Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥2.02
10+:¥1.97
30+:¥1.93
100+:¥1.89