SI3911DV-T1，SI3911DV-T1中文PDF资料下载

SI3911DV-T1中文PDF资料

	SI3911DV-T1
功能描述：	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W(Tc) 类型：双P沟道
PDF文件大小：	938.10 Kbytes
PDF页数：	共9页
制造商：	VBsemi(台湾微碧)
制造商LOGO：
制造商网址：	www.VBsemi.cn
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