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SI4122DY-T1-GE3 /Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8
SI4122DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：27.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4200pF @ 20V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），6W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4.5 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：19.2A

漏源极导通电阻RDS(ON)：4.5mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI4122DY-T1-GE3
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深圳市百域芯科技有限公司SI4122DY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4122DY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SI4122DY-T1-GE3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO272.02 Kbytes共10页SI4122DY-T1-GE3的PDF下载地址无
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Avnet Express		SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel2,500 : $0.9025
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Digi-Key 得捷电子		SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC5,000 : $0.7319
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RoHS : Compliant		2,500 : $0.8333
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Verical		SI4122DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R$0.6801
SI4122DY-T1-GE3的相关型号
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