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SI3850ADV-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI3850ADV-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道,共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A,960mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.08W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:6-TSOP

其它名称:SI3850ADV-T1-E3TR

供应商SI3850ADV-T1-E3
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深圳和润天下电子科技有限公司SI3850ADV-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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SI3850ADV-T1-E3Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO128.44 Kbytes共9页SI3850ADV-T1-E3的PDF下载地址SI4500BDY_06,SI1016X_08,SI1035X_08,ALD1115,SI1029X,SI4532DY,FDFMA2P029Z,GSS4575,SI5509DC,FDFS2P753AZ_08
SI3850ADV-T1-E3Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO214.46 Kbytes共13页SI3850ADV-T1-E3的PDF下载地址
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SI3850ADV-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 1.4/0.96A FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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SI3850ADV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOPObsolete
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SI3850ADV-T1-E3Vishay SiliconixNPN/PNP MOSFET, 12V, TSOP, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:1.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):240mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.5V ;RoHS Compliant: Yes价格未公开