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SI3588DV-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI3588DV-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A,570mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:830mW,83mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:6-TSOP

其它名称:SI3588DV-T1-E3TRSI3588DVT1E3

供应商SI3588DV-T1-E3
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深圳市芯幂科技有限公司SI3588DV-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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SI3588DV-T1-E3N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO221.62 Kbytes共12页SI3588DV-T1-E3的PDF下载地址
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SI3588DV-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.0/2.2A1+:¥5.8
10+:¥4.53
100+:¥4.12
250+:¥3.54
500+:¥3.54
1000+:¥3.41
3000+:¥3.131+:¥6.05
10+:¥5.57
25+:¥5.09
100+:¥4.46
250+:¥3.9
500+:¥3.42
1000+:¥
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SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOPObsolete
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SI3588DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P TSOP-6
RoHS : Compliant
1 : $5.7
10 : $5.3
25 : $4.8
100 : $4.2
250 : $3.7
500 : $3.2
1,000 : $2.9
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SI3588DV-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.0/2.2A1+:¥5.8
10+:¥4.53
100+:¥4.12
250+:¥3.54
500+:¥3.54
1000+:¥3.41
3000+:¥3.131+:¥6.05
10+:¥5.57
25+:¥5.09
100+:¥4.46
250+:¥3.9
500+:¥3.42
1000+:¥2.97