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SI3812DV-T1 / MOSFET
SI3812DV-T1的规格信息
SI3812DV-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:2.4 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :12 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:830 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:30 ns

最� b28 ��工作温度:- 55 C

上升时间:30 ns

商标名:Little Foot Plus

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:20 mg

供应商SI3812DV-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI3812DV-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市成源运利电子科技有限公司SI3812DV-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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集好芯城SI3812DV-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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