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SI4102DY-T1-GE3 /Single N-Channel 100 V 2.4 W 3.8 A 0.158 O Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4102DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.8A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):370pF @ 50V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):2.4W(Ta),4.8W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):158 毫欧 @ 2.7A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:100V

连续漏极电流ID:2.7A

漏源极导通电阻RDS(ON):158mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI4102DY-T1-GE3
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集好芯城Si4102DY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4102DY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳盛兴电子科技有限公司SI4102DY-T1-GE3华强电子3号(佳和)潮流前线负一楼1B1410755-83796817
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深圳市惊羽科技有限公司SI4102DY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市金华微盛电子有限公司Si4102DY-T1-GE3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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深圳市威雅利发展有限公司Si4102DY-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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SI4102DY-T1-GE3N-Channel 100 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO246.32 Kbytes共10页SI4102DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4102DY-T1-GE3的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI4102DY-T1-GE3Vishay DaleTRANSITOR, SI4532ADY250 : $0.9
500 : $0.83
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Arrow(艾睿)
SI4102DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V1+:¥7.64
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SI4102DY-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel2,500 : $0.28
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Avnet Express
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel2,500 : $0.4126
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24,999 : $0.386
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SI4102DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsN-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET2,500 : $0.4625
10,000 : $0.4112
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SI4102DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS : Compliant
2,500 : $0.38
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SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 3.8A 8SOObsolete
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Digi-Key 得捷电子
SI4102DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V1+:¥7.64
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Digi-Key 得捷电子
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC10 : $0.882
1 : $0.99
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Element_sh
SI4102DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V1+:¥7.64
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element14 Asia-Pacific
SI4102DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CH 100V 3.8A SO8
RoHS : Compliant
1 : $6.3
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Future Electronics
SI4102DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 100 V 2.4 W 3.8 A 0.158 O Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
RoHS : Compliant
2,500 : $0.4389
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Mouser 贸泽电子
SI4102DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V1+:¥7.64
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RS(欧时)
SI4102DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 3.8A 4.8W 158mohm @ 10V1+:¥7.64
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