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SI3983DV-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI3983DV-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 2.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:830mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:6-TSOP

其它名称:SI3983DV-T1-E3TR

供应商SI3983DV-T1-E3
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SI3983DV-T1-E3Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO55.97 Kbytes共5页SI3983DV-T1-E3的PDF下载地址SI1913DH,SI4943DY,SI7911DN,SI4913DY,SI8435DB,SI9933ADY,SI7901EDN,SI9953DY,SI3909DV,SI3911DV
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