AON3611-HXY，AON3611-HXY中文PDF资料下载

AON3611-HXY中文PDF资料

	AON3611-HXY
功能描述：	N+P沟道, N: VDSS耐压 30V, ID电流 16A, RDON导通电阻 20mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 1.0-2.5 V, P: VDSS耐压 30V, ID电流 14A, RDON导通电阻 30mR@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 1.0-2.5V,
PDF文件大小：	4.19 Mbytes
PDF页数：	共9页
制造商：	HXY MOSFET(华轩阳电子)
制造商LOGO：
制造商网址：	https://www.hxymos.com/
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