FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17.9nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1810pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 12A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（2.9x2.3）

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs