标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：8-DFN（2.9x2.3）

其它名称：785-1132-2