系列：AON

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.3A，3.4A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 4.3A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：210pF @ 15V

功率-最大值：1.9W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-DFN

封装形式Package：DFN

极性Polarity：N+P

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：4.3A/3.4A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs