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AON5820 /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
AON5820的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:5,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 10V

功率 - 最大值:1.7W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘

供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)

供应商AON5820
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AON5820AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:双N沟道(共漏)1+:¥1.3393
10+:¥1.0144
30+:¥0.9548
100+:¥0.8951
500+:¥0.8686
1000+:¥0.8555