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AON5802B /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:5,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 N 沟道(双)共漏

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 7A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 15V

功率 - 最大值:1.6W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘

供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)

供应商AON5802B
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