标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：4.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：415pF @ 6V

功率 - 最大值：2.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN-EP（2x2）