FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

其他名称：ZXMP7A17GQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：160 mOhm @ 2.1A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

标准包装：1,000

漏极至源极电压（Vdss）：70V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.6A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：635pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：18nC @ 10V

RoHS指令：Contains lead / RoHS Compliant

漏源极电压 (Vdss)：70V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：635pF @ 40V

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 mOhm @ 2.1A, 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

FET 功能：Standard

FET 类型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A (Ta)

工厂包装数量：1000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：- 70 V

晶体管极性：P-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：- 1 V

Qg - Gate Charge：18 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：20 V

下降时间：8 ns

品牌：Diodes Incorporated

通道数：1 Channel

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

晶体管类型：1 P-Channel

正向跨导 - 闵：4.4 S

Id - Continuous Drain Current：- 2.6 A

Rds On - Drain-Source Resistance：250 mOhms

RoHS：RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：27.9 ns

通道模式：Enhancement

系列：ZXMP7

安装风格：SMD/SMT

最低工作温度：- 55 C

Pd - Power Dissipation：16 W

上升时间：3.4 ns

技术：Si