FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA

系列：*

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23

其他名称：ZXMP6A13FQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：400 mOhm @ 900mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

标准包装：3,000

漏极至源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：900mA (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：219pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：2.9nC @ 4.5V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：3000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：- 60 V

晶体管极性：P-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage：+/- 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：- 3 V

Qg - Gate Charge：2.9 nC

下降时间：5.7 ns

品牌：Diodes Incorporated

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

正向跨导 - 闵：1.8 S

Id - Continuous Drain Current：- 1.1 A

Rds On - Drain-Source Resistance：400 mOhms

RoHS：RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：11.2 ns

通道模式：Enhancement

安装风格：SMD/SMT

最低工作温度：- 55 C

Pd - Power Dissipation：806 mW

上升时间：2.2 ns

技术：Si