Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：3,000
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.9A
Rds（最大）@ ID，VGS：80 mOhm @ 4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：15.8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：833pF @ 20V
功率 - 最大：1.1W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-26
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：6SOT-26
渠道类型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：40 V
最大连续漏极电流：3.7 A
RDS -于：80@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：2.5 ns
典型上升时间：3.3 ns
典型关闭延迟时间：47 ns
典型下降时间：21 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：1.6
PCB：6
最大功率耗散：1700
最大漏源电压：40
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：80@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOT-26
标准包装名称：SOT-26
最高工作温度：150
包装长度：3
引脚数：6
包装高度：1.1
最大连续漏极电流：3.7
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.9A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA
供应商设备封装：SOT-26
其他名称：ZXMP4A57E6TATR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.1W
漏极至源极电压（Vdss）：40V
输入电容（Ciss ） @ VDS：833pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS：15.8nC @ 10V
封装/外壳：SOT-23-6
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：- 3.7 A
RDS（ON）：80 mOhms
功率耗散：1.1 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SOT-26
栅极电荷Qg：7 nC
上升时间：3.3 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：- 40 V