FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

其他名称：ZXMP6A17GQTADITR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：125 mOhm @ 2.2A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

标准包装：1,000

漏极至源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：3A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：637pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：17.7nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：1000

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：- 60 V

晶体管极性：P-Channel

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：- 1 V

Qg - Gate Charge：17.7 nC

Vgs - Gate-Source Voltage：20 V

下降时间：11.3 ns

安装风格：SMD/SMT

品牌：Diodes Incorporated

通道数：1 Channel

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

晶体管类型：1 P-Channel

正向跨导 - 闵：4.7 S

Id - Continuous Drain Current：- 3.5 A

Rds On - Drain-Source Resistance：190 mOhms

RoHS：RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：26.2 ns

通道模式：Enhancement

系列：ZXMP6

最低工作温度：- 55 C

Pd - Power Dissipation：16 W

上升时间：3.4 ns

技术：Si

包装：SOT223

汽车：AEC-Q(101)

I(D)at Tc=25°C：-4,1 A

Fast bodydiode：NO

RDS(on)at 10V：125 mOhm

V（ DS ）：-60 V

Leadfree Defin：RoHS-conform

Configuartion：P-CH