包装：3SOT-23

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：30 V

最大连续漏极电流：3.4 A

RDS -于：80@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：1.3 ns

典型上升时间：2.6 ns

典型关闭延迟时间：49 ns

典型下降时间：22 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

单位包：3000

最小起订量：3000

FET特点：Logic Level Gate, 4.5V Drive

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.8A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23

其他名称：ZXMP3F30FHTADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 2.5A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：950mW

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：370pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：7nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

RoHS：RoHS Compliant

连续漏极电流：3.4 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：1.4 W

漏源导通电阻：0.08 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：SOT-23

引脚数：3

极性：P

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：30 V

弧度硬化：No