制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:24.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

系列:ZXMP6A

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:7.2 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.1 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:3.5 ns

单位重量:74 mg