Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,500
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.7A
Rds（最大）@ ID，VGS：125 mOhm @ 2.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：17.7nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：637pF @ 30V
功率 - 最大：1.56W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装：8-SOP
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8SO
渠道类型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：60 V
最大连续漏极电流：3.42 A
RDS -于：125@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：2.6 ns
典型上升时间：3.4 ns
典型关闭延迟时间：26.2 ns
典型下降时间：11.3 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2500
最大漏源电压：60
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：125@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SO
标准包装名称：SOIC
最高工作温度：150
包装长度：5(Max)
引脚数：8
包装高度：1.5(Max)
最大连续漏极电流：3.42
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
单位包：2500
最小起订量：2500
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.7A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：8-SOP
其他名称：ZXMP6A17N8TCTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：125 mOhm @ 2.3A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.56W
漏极至源极电压（Vdss）：60V
输入电容（Ciss ） @ VDS：637pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS：17.7nC @ 10V
封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
安装风格：SMD/SMT
晶体管极性：P-Channel
源极击穿电压：20 V
连续漏极电流：- 2.7 A
正向跨导 - 闵：4.7 S
RDS（ON）：125 mOhms
功率耗散：1.56 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SOIC-8
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：- 60 V