Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：10,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1.7A
Rds（最大）@ ID，VGS：180 mOhm @ 930mA, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：3.4nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的：160pF @ 15V
功率 - 最大：625mW
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：3SOT-23
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：20 V
最大连续漏极电流：1.7 A
RDS -于：180@4.5V mOhm
最大门源电压：±12 V
典型导通延迟时间：2.4 ns
典型上升时间：4.2 ns
典型关闭延迟时间：7.8 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±12
包装宽度：1.4(Max)
PCB：3
最大功率耗散：806
最大漏源电压：20
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：180@4.5V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOT-23
标准包装名称：SOT-23
最高工作温度：150
渠道类型：N
包装长度：3.04(Max)
引脚数：3
包装高度：1.02(Max)
最大连续漏极电流：1.7
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.7A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250µA
封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：180 mOhm @ 930mA, 4.5V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：625mW
漏极至源极电压（Vdss）：20V
输入电容（Ciss ） @ VDS：160pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS：3.4nC @ 4.5V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：10000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
源极击穿电压：+/- 12 V
连续漏极电流：1.7 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：180 mOhms
功率耗散：625 mW
最低工作温度：- 55 C
上升时间：4.2 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：20 V