Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：10,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1.4A

Rds（最大）@ ID，VGS：220 mOhm @ 910mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：4.1nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：150pF @ 25V

功率 - 最大：625mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：220 mOhm @ 910mA, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

标准包装：10,000

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：150pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：4.1nC @ 10V