Rohs：Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：End Of Life 16/Aug/2010

标准包装：3,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：170mA

Rds（最大）@ ID，VGS：8 Ohm @ 150mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：1.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：25pF @ 25V

功率 - 最大：360mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

最大门源电压：±20

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

通道模式：Enhancement

标准包装名称：SOT-23

最低工作温度：-55

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：8000@4.5V

最大漏源电压：100

每个芯片的元件数：1

供应商封装形式：SOT-23

最大功率耗散：360

最大连续漏极电流：0.17

引脚数：3

铅形状：Gull-wing

FET特点：Standard

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：170mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1.5V @ 1mA

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3

其他名称：ZXM41N10FTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：8 Ohm @ 150mA, 4.5V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：360mW

标准包装：3,000

漏极至源极电压（Vdss）：100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：25pF @ 25V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant