Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：1,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：200V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：200mA

Rds（最大）@ ID，VGS：25 Ohm @ 150mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：100pF @ 25V

功率 - 最大：2W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：4SOT-223

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：200 V

最大连续漏极电流：0.2 A

RDS -于：25000@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：7(Max) ns

典型关闭延迟时间：12(Max) ns

典型下降时间：15(Max) ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

包装宽度：3.7(Max)

PCB：3

最大功率耗散：2000

最大漏源电压：200

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：25000@10V

每个芯片的元件数：1

最低工作温度：-55

供应商封装形式：SOT-223

标准包装名称：SOT-223

最高工作温度：150

包装长度：6.7(Max)

引脚数：4

包装高度：1.65(Max)

最大连续漏极电流：0.2

封装：Tape and Reel

标签：Tab

铅形状：Gull-wing

单位包：1000

最小起订量：1000

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：200mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3.5V @ 1mA

供应商设备封装：SOT-223

其他名称：ZVP2120GTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：25 Ohm @ 150mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

漏极至源极电压（Vdss）：200V

输入电容（Ciss ） @ VDS：100pF @ 25V

封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：1000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

配置：Single Dual Drain

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：- 200 mA

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：25 Ohms

功率耗散：2 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SOT-223

上升时间：7 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 200 V