Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：120mA
Rds（最大）@ ID，VGS：25 Ohm @ 150mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS：-
输入电容（Ciss）@ Vds的：100pF @ 25V
功率 - 最大：700mW
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
渠道类型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：200 V
最大连续漏极电流：0.12 A
RDS -于：25000@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：7(Max) ns
典型上升时间：15(Max) ns
典型关闭延迟时间：12(Max) ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Through Hole
标准包装：Ammo Pack
最大门源电压：±20
包装宽度：2.41(Max)
PCB：3
最大功率耗散：700
最大漏源电压：200
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：25000@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：E-Line
标准包装名称：TO-92
最高工作温度：150
包装长度：4.77(Max)
引脚数：3
包装高度：4.01(Max)
最大连续漏极电流：0.12
封装：Tape and Reel
铅形状：Through Hole
单位包：2000
最小起订量：2000
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：120mA (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3.5V @ 1mA
供应商设备封装：TO-92-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：25 Ohm @ 150mA, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：700mW
漏极至源极电压（Vdss）：200V
输入电容（Ciss ） @ VDS：100pF @ 25V
封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名称：ZVP2120ASCT
工厂包装数量：2000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
配置：Single
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：- 120 mA
安装风格：Through Hole
RDS（ON）：25 Ohms
功率耗散：700 mW
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：TO-92
上升时间：15 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：- 200 V