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ZVP2106GTA /MOSFET P-Chnl 60V
ZVP2106GTA的规格信息
ZVP2106GTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:450 mA

Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:ZVP2106

晶体管类型:1 P-Channel

类型:FET

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:150 mS

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:112 mg

供应商ZVP2106GTA
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深圳市微碧半导体有限公司ZVP2106GTA-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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芯莱德电子(香港)有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市毅创腾电子科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市辉华拓展电子有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城ZVP2106GTA深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯泽盛世科技有限公司ZVP2106GTA龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市星宇佳科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市辰芯伟业科技有限公司ZVP2106GTA华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市拓亿芯电子有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市骏凯诚科技有限公司ZVP2106GTA深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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ZVP2106GTAMOSFET P-Channel 60V 0.45A SOT223Diodes IncDiodes Inc的LOGO590.20 Kbytes共6页ZVP2106GTA的PDF下载地址
ZVP2106GTA连续漏极电流(Id)(25°C 时):450mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1mA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO446.44 Kbytes共6页ZVP2106GTA的PDF下载地址
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ZVP2106GTA的全球分销商及价格
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ZVP2106GTADiodes IncMOSFET P-Channel 60V 0.45A SOT223+25:$1.42
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ZVP2106GTAZetex Semiconductors1000+:¥3.27
2000+:¥3.05
5000+:¥2.9
10000+:¥2.79
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100+:¥4.93
250+:¥4.3
500+:¥3.94
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ZVP2106GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Chnl 60V1000+:¥3.27
2000+:¥3.05
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10+:¥5.02
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1000+:¥3.23
2000+:¥2.97
10000+:¥2.88
25000+:¥2.8
50000+:¥2.741+:¥6102.131000+:¥1.95
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Digi-Key 得捷电子
ZVP2106GTADiodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 450MA SOT223$1.09000
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Digi-Key 得捷电子
ZVP2106GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Chnl 60V1000+:¥3.27
2000+:¥3.05
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25000+:¥2.7
50000+:¥2.62
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element14 e络盟电子
ZVP2106GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Chnl 60V1000+:¥3.27
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ZVP2106GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Chnl 60V1000+:¥3.27
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Mouser 贸泽电子
ZVP2106GTADiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-Chnl 60V1000+:¥3.27
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10000+:¥2.88
25000+:¥2.8
50000+:¥2.74
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Mouser 贸泽电子
ZVP2106GTADiodes IncorporatedMOSFET P-Chnl 60V1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
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立创商城
ZVP2106GTADIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):450mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1mA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道1+:¥3.33
10+:¥2.46
30+:¥2.3
100+:¥2.14
500+:¥2.07
1000+:¥2.03