Rohs：Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知：End Of Life 30/July/2009

标准包装：2,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：280mA

Rds（最大）@ ID，VGS：5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：100pF @ 18V

功率 - 最大：700mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

最大门源电压：±20

安装：Through Hole

包装宽度：2.41(Max)

PCB：3

最大功率耗散：700

最大漏源电压：60

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：5000@10V

每个芯片的元件数：1

最低工作温度：-55

供应商封装形式：E-Line

标准包装名称：TO-92

最高工作温度：150

渠道类型：P

包装长度：4.77(Max)

引脚数：3

通道模式：Enhancement

包装高度：4.01(Max)

最大连续漏极电流：0.28

封装：Tape and Reel

铅形状：Through Hole

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：280mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3.5V @ 1mA

封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：5 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：700mW

标准包装：2,000

漏极至源极电压（Vdss）：60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：100pF @ 18V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant