Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：4,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：450V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：45mA

Rds（最大）@ ID，VGS：150 Ohm @ 50mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：4.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：120pF @ 25V

功率 - 最大：700mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Bulk

包装：3E-Line

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：450 V

最大连续漏极电流：0.045 A

RDS -于：150000@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：10(Max) ns

典型关闭延迟时间：15(Max) ns

典型下降时间：20(Max) ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Bulk

最大门源电压：±20

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：TO-92

包装高度：4.01(Max)

最大功率耗散：700

最大漏源电阻：150000@10V

最低工作温度：-55

最大漏源电压：450

每个芯片的元件数：1

包装宽度：2.41(Max)

供应商封装形式：E-Line

包装长度：4.77(Max)

PCB：3

最大连续漏极电流：0.045

引脚数：3

铅形状：Through Hole

单位包：4000

最小起订量：4000

FET特点：Standard

封装：Bulk

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：45mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4.5V @ 1mA

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：150 Ohm @ 50mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：700mW

漏极至源极电压（Vdss）：450V

输入电容（Ciss ） @ VDS：120pF @ 25V

封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：4000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

配置：Single

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：- 50 mA

安装风格：Through Hole

RDS（ON）：150 Ohms

功率耗散：700 mW

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：TO-92

上升时间：15 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 350 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：15 ns

栅源电压（最大值）：�20 V

漏源导通电阻：150 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：E-Line

极性：P

类型：Small Signal

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：450 V

弧度硬化：No

Continuous Drain Current Id：:45mA

Drain Source Voltage Vds：:450V

On Resistance Rds(on)：:150ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:-10V

Threshold Voltage Vgs：:-3V

功耗：:700mW