Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：450V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：45mA

Rds（最大）@ ID，VGS：150 Ohm @ 50mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：4.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：120pF @ 25V

功率 - 最大：700mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

产品种类：MOSFET

RoHS：RoHS Compliant

晶体管极性：P-Channel

漏源击穿电压：- 350 V

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：- 50 mA

抗漏源极RDS （ ON）：100 Ohms

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

安装风格：Through Hole

封装/外壳：TO-92

封装：Bulk

下降时间：15 ns

最低工作温度：- 55 C

功率耗散：700 mW

上升时间：15 ns

工厂包装数量：4000

典型关闭延迟时间：15 ns

寿命：Obsolete

FET特点：Standard

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：45mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4.5V @ 1mA

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：150 Ohm @ 50mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：700mW

标准包装：2,000

漏极至源极电压（Vdss）：450V

输入电容（Ciss ） @ VDS：120pF @ 25V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant