Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：200V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：110mA

Rds（最大）@ ID，VGS：32 Ohm @ 125mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：100pF @ 25V

功率 - 最大：700mW

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装：TO-92-3

包装材料 ：Bulk

FET特点：Logic Level Gate

封装：Bulk

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：110mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3.5V @ 1mA

封装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商设备封装：TO-92-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：32 Ohm @ 125mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：700mW

标准包装：2,000

漏极至源极电压（Vdss）：200V

输入电容（Ciss ） @ VDS：100pF @ 25V