VBM165R12的供应商，VBM165R12规格参数，VBM165R12的PDF资料

VBM165R12 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

VBM165R12的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻-

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

VBM165R12的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBM165R12	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBM165R12	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
集好芯城	VBM165R12	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM165R12	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBM165R12	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市鹏芯微世纪电子有限公司	VBM165R12	佳和潮流前线负1楼1A058（扶手梯旁边）	0755-82716291 13534200224	杨先生	询价

VBM165R12及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
VBM165R12	N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	802.51 Kbytes	共10页	无
VBM165R12	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	822.9 Kbytes	共10页	无
VBM165R12	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	858.87 Kbytes	共10页	无

VBM165R12的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBM165R12	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	1+:￥5.69 10+:￥4.19 30+:￥3.92 100+:￥3.64 500+:￥3.52 1000+:￥3.46

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