VBM1201M的供应商，VBM1201M规格参数，VBM1201M的PDF资料

VBM1201M /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：126W 类型：N沟道

VBM1201M的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）200V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻110mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）126W

类型N沟道

VBM1201M

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深圳市芯幂科技有限公司	VBM1201M	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBM1201M	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司	VBM1201M	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBM1201M	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
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VBM1201M	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		579.52 Kbytes	共6页		无

VBM1201M的全球分销商及价格

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立创商城	VBM1201M	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：126W 类型：N沟道	1+:￥3.47 10+:￥2.56 30+:￥2.39 100+:￥2.22 500+:￥2.15 1000+:￥2.11

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