VBM1307
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W 类型:N沟道
VBM1307的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)70A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)71W
类型N沟道
VBM1307
VBM1307的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | VBM1307 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W 类型:N沟道 | 1+:¥2.49 10+:¥1.84 30+:¥1.72 100+:¥1.6 500+:¥1.55 1000+:¥1.52
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